Mae'r dull symlaf o gynhyrchu carbid silicon yn cynnwys toddi tywod silica a charbon, fel glo, ar dymheredd uchel - hyd at 2,500 gradd Celsius. Mae fersiynau tywyllach, mwy cyffredin o garbid silicon yn aml yn cynnwys amhureddau haearn a charbon, ond mae crisialau sic pur yn ddi -liw ac yn cael eu ffurfio pan fydd carbid silicon yn aruchel ar 2,700 gradd Celsius. Ar ôl gwresogi, mae'r crisialau hyn yn cael eu hadneuo ar graffit ar dymheredd is mewn proses a elwir y dull Lely.
Dull Lely: Yn y broses hon, mae crucible gwenithfaen yn cael ei gynhesu i dymheredd uchel iawn, fel arfer trwy ymsefydlu, i aruchel y powdr carbid silicon. Mae'r wialen graffit tymheredd is mewn cymysgedd nwyol, sy'n caniatáu i'r carbid silicon pur waddodi a ffurfio crisialau.
Dyddodiad anwedd cemegol: Fel arall, mae gweithgynhyrchwyr yn tyfu sic ciwbig gan ddefnyddio dyddodiad anwedd cemegol, a ddefnyddir yn gyffredin mewn prosesau synthesis sy'n seiliedig ar garbon ac a ddefnyddir yn y diwydiant lled-ddargludyddion. Yn y dull hwn, cyflwynir cymysgedd cemegol arbennig o nwyon i amgylchedd gwactod a'i gyfuno cyn cael ei ddyddodi ar swbstrad.
Mae'r ddau ddull o gynhyrchu wafferi carbid silicon yn gofyn am lawer iawn o egni, offer a gwybodaeth i lwyddo.
