Mae maint gronynnau asiant rhyddhau nitrid silicon purdeb uchel rhwng 1-2 micron, a all ddatrys y broblem ocsideiddio yn effeithiol yn ystod proses halltu tymheredd uchel y cotio, gan wella purdeb silicon polycrystalline a silicon crisial sengl yn fawr, a gall purdeb ei bowdwr Mae'n cyrraedd mwy na 99.99% a gellir ei ddefnyddio fel deunydd cotio crucible cwarts ar gyfer toddi ingotau silicon polycrystalline yn y diwydiant ffotofoltäig.
Gall atal wal fewnol y crucible yn effeithiol rhag glynu wrth y deunydd silicon tawdd, hwyluso dymchwel, a gweithredu fel haen rhwystr i sicrhau purdeb yr ingot silicon. Mae'r cynnyrch wedi cael ei ddefnyddio gan lawer o weithgynhyrchwyr yn Jiangxi, Fujian, Jiangsu, Henan, ac ati, ac mae ganddo berfformiad demoulding rhagorol. , ac o'i gymharu â nano silicon nitrid neu fathau eraill o asiantau rhyddhau, mae ganddo eiddo gwrthocsidiol rhagorol, gan sicrhau y gellir rheoli crynodiad amhureddau fel carbon ac ocsigen yn effeithiol yn ystod y broses gynhyrchu.
Mae gan y cynnyrch purdeb uchel, maint gronynnau unffurf, ac mae ei berfformiad yn gwbl debyg i gynhyrchion tramor tebyg. Mae wedi'i fasgynhyrchu.
